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  金屬布線的工藝為半導體注入生命的連接

  經過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導體元件。半導體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacit

  2023-04-28 標簽： DRAM 晶圓 晶體管 108 0

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  芯片制造的高互連線間距問題

  IBM 和三星開發了一種釕和氣隙集成方案，解決了一個迫在眉睫的高互連線間距問題。

  2023-04-25 標簽： 芯片 DRAM IBM 59 0

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  半導體工藝之金屬布線工藝介紹

  本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布

  2023-04-25 標簽： DRAM cpu 晶體管 45 0

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  什么是DRAM？DRAM存儲單元電路讀寫原理

  內存芯片中每個單元都有以字節線和比特線組合的獨立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內存條為例，每粒內存芯片有4G個獨

  2023-04-25 標簽： DRAM 存儲器 云計算 49 0

• 先進封裝推動NAND和DRAM技術進步

  據知名半導體分析機構Yole分析，先進封裝極大地推動了內存封裝行業，推動了增長和創新。

  2023-04-20 標簽： DRAM NAND 存儲器 366 0

• 一文了解新型存儲器MRAM

  MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲

  2023-04-19 標簽： DRAM 存儲器 RAM 347 0

• 2030年DRAM模塊和組件市場將達到1111億美元

  2022年DRAM模組及組件市場規模為994億美元，預計2022—2030年復合年增長率為1.40%，到2030年將達到

  2023-04-19 標簽： 處理器 DRAM RAM 561 0

• FPGA循環并行化應用于先前任務并行化的推理內核

  此外，當前內核的外部內存訪問效率低下，因此內存訪問也是瓶頸。在這種狀態下，即使進行循環并行化，內存訪問最終也會成為瓶頸。

  2023-04-17 標簽： fpga DRAM 存儲器 253 0

• 淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰

  新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優

  2023-04-13 標簽： DRAM IC制造 IMEC 246 0

• CXL內存基于微基準的特性研究和最佳實踐

  隨著線程數的增加，在每個方案上運行DLRM推理都是線性的，并且斜率不同。DDR5-R1和CXL存儲器的總體趨勢相似，這與

  2023-04-12 標簽： DRAM 深度學習 77 0

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半導體工藝之金屬布線工藝介紹

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內存芯片中每個單元都有以字節線和比特線組合的獨立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內存條為例，每粒內存芯片有4G個獨立地址。

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CXL內存基于微基準的特性研究和最佳實踐

隨著線程數的增加，在每個方案上運行DLRM推理都是線性的，并且斜率不同。DDR5-R1和CXL存儲器的總體趨勢相似，這與第4.3.2節中的觀察結果一致

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一文了解新型存儲技術

萬物智聯時代的到來，大幅提升了人工智能 (AI) 及邊緣計算 (Edge Computing)等巨量運算架構的應用需求。但是傳統存儲器均在耗電量、數據訪...

2023-04-12 標簽： DRAMNANDFlaSh 99 0

漫談交換式電源的原理與設計

我們花了十多次的篇幅，說明了常用的交換式電源的原理。從可以升壓的 boost converter 開始，到降壓用的 buck converter，我們用...

2023-04-04 標簽： 模擬電路DRAM輸出電壓 100 0

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4月26日，三星電子發布2023年第一季財報，營業利潤暴減 95%，其中芯片部門出現史上最嚴重虧損。第一季度，三星實現營業收入63.75萬億韓元（約合4...

2023-04-27 標簽： DRAM存儲芯片SK海力士 1397 0

用3D堆疊技術打造DRAM成為L4級緩存，華邦電子CUBE解決方案助力邊緣AI

華邦電子一直以來提供閃存和DRAM的良品裸晶圓（KGD）產品，KGD可以與SoC進行合封，以實現更優的成本和更小的尺寸。據華邦電子次世代內存產品營銷企劃...

2023-04-24 標簽： DRAM華邦電子3D封裝 1119 0

DRAM市場恢復元氣，還想在GPT市場干票大的？

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2023-04-14 標簽： DRAMGPT 2387 0

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看看美國當年是如何瘋狂打壓日本芯片產業的，就明白為啥米國要同樣制裁中國的半導體芯片

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SK海力士季度虧損創紀錄 sk海力士2022年財報難看 前一兩年還一直聽說內存條在不斷漲價的消息，現在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創紀錄，看來大伙的...

2023-02-01 標簽： DRAMNAND內存 1953 0

【行業資訊】美光推出先進的1β技術節點DRAM

內存與存儲解決方案領先供應商美光科技（Micron Technology Inc.）宣布，其采用全球最先進技術節點的1βDRAM產品已開始向部分智能手機...

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SK海力士2022年Q4虧損創紀錄，毛利率僅3%，2023財年將減少50%資本支出

2月1日SK海力士發布2022年第四季度財報。公司該季營收為7.699萬億韓元，環比下降30%，同比減少38%。毛利2300億韓元，環比下降94%，同比...

2023-02-01 標簽： DRAMNAND存儲 1731 0

一紙文書，讓日本半導體盛極而衰

電子發燒友網報道（文/黃山明）在上世紀80年代，日本半導體企業如日中天，日本存儲器驟然崛起，一舉超越美國成為全球第一。1986年，世界半導體產業銷售前三...

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一本雜志，讓日本走上半導體強國之路

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